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DMP6180SK3-13  与  SPD18P06P G  区别

型号 DMP6180SK3-13 SPD18P06P G
唯样编号 A36-DMP6180SK3-13 A-SPD18P06P G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 60 V 110 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet -TO-252-3 (DPAK)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 110mΩ@12A,10V 130mΩ
上升时间 - 5.8ns
Qg-栅极电荷 - 22nC
栅极电压Vgs ±20V 10V
正向跨导 - 最小值 - 4S
封装/外壳 DPAK -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 14A 18.6A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 11ns
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.7W(Ta) 80W
典型关闭延迟时间 - 24.5ns
FET类型 P-Channel P-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - SPD18P06
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 984.7pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.1nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 12ns
库存与单价
库存 12,122 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.606
100+ :  ¥1.232
1,250+ :  ¥1.0725
2,500+ :  ¥1.012
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP6180SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.7W(Ta) 110mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 14A

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
1,250: ¥1.0725
2,500: ¥1.012
12,122 当前型号
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C

¥5.64 

阶梯数 价格
1: ¥5.64
100: ¥4.1778
1,000: ¥3.1333
2,500: ¥2.256
8,493 对比
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
100: ¥1.199
1,250: ¥1.0131
2,381 对比
DMP6180SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 60V 14A(Tc) ±20V 2.7W(Ta) 110mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 车规

暂无价格 0 对比
SPD18P06P G Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD18P06PGBTMA1_60V 18.6A 130mΩ 10V 80W P-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRFR5505TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 57W(Tc) 110mΩ@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 18A 55V D-Pak

暂无价格 0 对比

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